共聚焦拉曼光譜儀六大創(chuàng )新：
1、靈敏度遠高于其它同類(lèi)拉曼譜儀，模塊化設計，波長(cháng)可任意選擇，配置靈活，升級容易。
2、儀器精度和重復性比市場(chǎng)同類(lèi)光譜儀提高了一個(gè)數量級，所有馬達帶動(dòng)的機械傳動(dòng)部件均采用光柵尺自動(dòng)反饋控制。
3、可一次連續掃描大范圍的光譜()，無(wú)需接譜，無(wú)需使用低分辨率光柵。
4、受保護的的顯微共焦設計系統，可連續調節共焦深度，并大大提高了儀器的光通量和穩定性。
5、受保護的拉曼或熒光信號整體一次直接成像，迅速獲得材料的空間分布。
6、與多種掃描探針顯微鏡（SPM）聯(lián)用，如AFM、SNOM、CLSM等，可同時(shí)獲取微區原位的形貌、結構和化學(xué)的信息。
共聚焦拉曼光譜儀優(yōu)勢：
1.高分辨：
共聚焦拉曼光譜儀具有800毫米的光譜儀焦長(cháng)，其所能達到的分辨率約為標準300毫米焦長(cháng)拉曼譜儀的3倍，比250毫米焦長(cháng)的老式設計拉曼譜儀更高。從下圖可以清楚地看到，用高分辨率系統采集的譜圖有更多的數據點(diǎn)，在進(jìn)行微小的拉曼峰移分析時(shí)，比短焦長(cháng)系統準確的多。同樣，用HR系統能更準確地給出拉曼譜峰的峰形這一重要的參數，峰位和峰形都能表征重要的樣品變化。
2.*的靈活性：
共聚焦拉曼光譜儀另一個(gè)*的優(yōu)勢就是可在系統中配備一個(gè)附加出口。用雙出口選項，可多配備一個(gè)紅外 InGaAs陣列，ICCD， PMT或其它專(zhuān)業(yè)單道探測器。實(shí)際上，該系統有很寬的激光光源適應能力和多探測器選項，能提供很寬的光譜范圍或進(jìn)行時(shí)域分析。
近紅外探測器對于 在 830納米或 1064納米激發(fā)下的發(fā)光測量（例如對于半導體材料）和拉曼分析等特別有用。這兩種應用下的光譜都在標準硅器件 CCD探測器的測量范圍之外，例如，一些重要的 III－ V族半導體材料的重要信息在 1100納米和 1300納米區域，不在硅器件的敏感探測區。用其它的探測器（如 InGaAs或 Ge探測器）， 就很容易實(shí)現這個(gè)區域的測量.
3.應力引起的拉曼位移：
共聚焦拉曼光譜儀是一種理想的應用測量工具。左圖中 固體相硅應力拉曼分析表明可識別出 0.3cm-1 的拉曼峰移。半導體器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有類(lèi)似的小峰位和峰形改變，非常適合用共聚焦拉曼光譜儀進(jìn)行測量。
